Technical support技術(shù)支持
1. 如何選擇晶體的負載電容 CL？
1) IC 推薦的晶體負載電容CL
2) 經(jīng)驗值計算
CL≈C1*C2/(C1+C2)+Cs
(HC-49S系列：Cs=6pF；SMD系列：Cs=3pF)
C1，C2：晶體兩端的對地電容
3) 做匹配實驗
使用不同負載電容的晶體，測試電路的輸出頻率，找到與電路匹配的負載電容CL
2. 怎么測試電路的負阻特性？
根據(jù)振蕩線路的負阻值可確認線路維持正常工作時晶體所容許的最大阻抗。
負性阻抗測量方式如下：
⑴ 串聯(lián)一電阻（R）至Crystal之端點。調(diào)整R之值，使Crystal由起振至停止振蕩。
⑵ 當(dāng)回路由起振至停止振蕩時測量R的值，得到負性阻抗值∣-R∣=R+Rr
穩(wěn)定的振蕩回路，其負性阻抗值（-R）需至少為石英晶體諧振器阻抗的5倍以上，
即：∣-R∣>5Rr，方能形成穩(wěn)定振蕩回路。
建議：基頻振蕩電路的∣-R∣值應(yīng)不小于晶體電阻規(guī)格的10倍，
泛音振蕩電路的∣-R∣值應(yīng)不小于晶體電阻規(guī)格的5倍。
一般情況下，減小晶體兩端的接地電容 C1 C2，可以提高負阻值。
